Электронные компоненты

Конденсаторы

Предохранители и варисторы

Резисторы

Полупроводники

Кварцы-фильтры

Реле. Переключатели, кнопки

Трансформаторы

Запчасти к аудио-видеотехнике

Запчасти к сотовым телефонам

Термоэлементы Пельтье

Радиоконструкторы

Популярный

Заканчивается

BUK 454-800A,B

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксималь..

213.03 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUK 455-500A,B

Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB..

100.19 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUK 456-1000A,B

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление..

154.13 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUK 456-200A,B

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..

190.25 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUK 456-800A,B

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..

131.00 ₽

В корзину

Популярный

BUT 11AF

ОписаниеНаименование производителя: BUT11AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакc..

35.48 ₽

В корзину

Популярный

BUT 12A

Биполярный транзистор BUT12AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

95.54 ₽

В корзину

Популярный

BUT 12AF

Биполярный транзистор BUT12AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

123.82 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUT 18AF

Биполярный транзистор BUT18AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимально допуст..

103.09 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUV 48C

Биполярный транзистор BUV48CТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 VМакcимально допуст..

219.64 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUW 11A

217.35 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUW 11AF

64.85 ₽

В корзину

Популярный

BUW 12A

Биполярный транзистор BUW12AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

173.61 ₽

В корзину

Популярный

BUW 12AF

Биполярный транзистор BUW12AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 32 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

187.60 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUW 13A

Биполярный транзистор BUW13AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

209.73 ₽

В корзину

Популярный

BUZ 332A

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VПредельно..

233.04 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUZ 80(A)

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..

183.44 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

C 69011Y

ОписаниеКорпус SDIP-54Вес 10 гTV пpоцессоp..

3 343.65 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

C 69525Y

TV процессорКорпус SDIP-54Вес 10 г..

2 816.39 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

C 69540Y (SIM-135-2R)

TV пpоцессоp SAMSUNG CK-5035/5081/5082/5083/5318/5341Корпус: SDIP-54..

2 606.42 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

C 69603Y

GOTO: C69603Y:SAMSUNG CP..

2 840.21 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

C 69605Y

Корпус SDIP54..

3 883.19 ₽

В корзину

Популярный

C 69607Y

TV пpоцессоp SAMSUNG CK-5035/5081/5082/5083/5318/5341, P69Корпус: SDIP54..

3 576.73 ₽

В корзину

Популярный

COP 444-PRB

556.74 ₽

В корзину

Электронные компоненты (радиодетали) — это составляющие части электронных схем.

Просторечное название электронных компонентов — «радиодетали» — появилось от того, что в начале XX века первым повсеместно распространённым и при этом технически сложным для неспециалиста электронным устройством стало радио.

Изначально термин «радиодетали» означал электронные компоненты, применяемые для производства радиоприёмников; затем обиходное название распространилось и на остальные радиоэлектронные компоненты и устройства, уже не имеющие прямой связи с радио.