BUK - BUZ

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сто..

Partname: BUK444-500ADescription: MOSFETs and TempFETsManufacturer: Philips SemiconductorsPackage: SOT-186..

Наименование: BUK444-600BТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ug..

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сто..

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VМаксимально до..

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сто..

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление с..

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксималь..

Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB..

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление..

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VПредельно..

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..