0
По вопросу получения оптовых цен - обращайтесь с указанием своего логина и планируемого объема закупок. Подробнее

Фотодиоды

0
Технические параметрыМаксимальная определяемая длина волны 1100нмДлина волны пиковой чувствительности 850нмМинимальная определяемая длина волны 400нмМатериал диода КремнийПроизводитель ..
16.15 ₽
В корзину
Заканчивается
Фотодиоды

Фототранзи́стор — оптоэлектронный полупроводниковый прибор, вариант биполярного транзистора. Отличается от обычного биполярного транзистора тем, что полупроводниковый базовый слой прибора доступен для воздействия внешнего оптического облучения, за счёт этого ток через прибор зависит от интенсивности этого облучения.

Отличается от фотодиода тем, что обладает внутренним усилением фототока и поэтому большей чувствительностью к оптическому излучению.

Фототранзистор может иметь полупроводниковую структуру как n-p-n, так и p-n-p транзистора.