0
По вопросу получения оптовых цен - обращайтесь с указанием своего логина и планируемого объема закупок. Подробнее

Электронные компоненты

0
Вес 0,3 гПредохранитель плавкий ICPN05 _-55+125_Элементы максимальной токовой защитыТип предохранителя: Интегральный ICP..
19.95 ₽
В корзину
0
Тип предохранителя плавкая вставка Номинальный ток 400мА Вид предохранителя полупроводниковый Шаг выводов 2,54мм Сопротивление 220мОм..
19.95 ₽
В корзину
0
Номинальный ток 0,6АНапряжение AC 50ВТип монтажа выводной..
19.95 ₽
В корзину
0
Тип предохранителя плавкая вставка Номинальный ток 800мА Вид предохранителя полупроводниковый Шаг выводов 2,54мм Сопротивление 100мОм..
19.95 ₽
В корзину
0
Тип предохранителя плавкая вставка Номинальный ток 1А Вид предохранителя полупроводниковый Шаг выводов 2,54мм Сопротивление 70мОм..
19.95 ₽
В корзину
0
Номинальный ток 1,5АНапряжение AC 50ВТип монтажа Выводной..
19.95 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеПредохранитель, предназначен для впаивания в печатную платуТок 2 А..
19.95 ₽
В корзину
0
Производитель: IRКорпус: DIP-16Vcc, V:..
63.38 ₽
В корзину
Заканчивается
0
IRF1404PBF, Транзистор, N-канал 40В 180А [TO-220AB]ОписаниеТранзистор полевой N-канальный 40В 180А 200Вт, 0.004 ОмТехнические параметрыСтруктура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 202 ..
275.05 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально доп..
142.50 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование прибора: IRF822Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустимый..
114.00 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование прибора: IRF822FIТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустим..
80.75 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование прибора: IRF831Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 450 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустимы..
61.84 ₽
В корзину
0
Наименование прибора: IRF9540NТип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 VМаксимально допустимый пост..
54.86 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование прибора: IRFD9110Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжени..
95.00 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование прибора: IRFI744GТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 450 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 VПороговое напряжение..
237.50 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование прибора: IRFP460PBFТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряже..
171.00 ₽
В корзину
0
IRFZ34NPBF, Транзистор, N-канал 55В 26А [TO-220AB]ОписаниеThe IRFZ34NPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.• 175°C Operatin..
25.81 ₽
В корзину
0
IRFZ44NPBF, Транзистор, N-канал 55В 41А [TO-220AB]ОписаниеIRFZ44NPBF является N-канальным силовым МОП-транзистором HEXFET® с чрезвычайно низким сопротивлением в активном состоянии и быстродействующими характеристиками переключения. Это преимущество, ..
25.00 ₽
В корзину
0
IRFZ46NPBF, Транзистор, N-канал 55В 46А [ТО-220АВ]ОписаниеMOSFET, N, 55V, 46A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 46A Resistance, Rds On 0.02ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs t..
35.50 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Корпус : TABS10-8 Uи.п.мин : 9V Uи.п.мах : 17V PoutMAX : 2W Rн.Ом: 8 Iпот.мах: 12 mA Iвых.мах: 1.4 A..
83.60 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеКорпус: SIP7..
143.62 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеVCR пpоцессоp SHARP VC-55S/779E..
1 127.92 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Производитель: SharpTV декодеp SECAMКорпус: DIP-30..
445.83 ₽
В корзину
Электронные компоненты

Электронные компоненты (радиодетали) — это составляющие части электронных схем.

Просторечное название электронных компонентов — «радиодетали» — появилось от того, что в начале XX века первым повсеместно распространённым и при этом технически сложным для неспециалиста электронным устройством стало радио.

Изначально термин «радиодетали» означал электронные компоненты, применяемые для производства радиоприёмников; затем обиходное название распространилось и на остальные радиоэлектронные компоненты и устройства, уже не имеющие прямой связи с радио.