0.00 ₽
Оформить заказ
Популярный
Применяется для стабилизации выходного постоянного напряжения в источниках тока.Мощность рассеяния,Вт 0.5Номинальное напряжение стабилизации,В 68..
5.32 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеСтабилитрон КС175A (MTZ 7,5V)Технические параметрыМощность рассеяния,Вт 0.15Минимальное напряжение стабилизации,В 7Номинальное напряжение стабилизации,В 7.5Максимальное напряжение стабилизации,В 8Статическое сопротивление Rст.,Ом 16при токе I..
23.75 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеСтабилитроны (диоды Зенера) – это полупроводниковые диоды, работающие при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через диод протекают малые токи, при наступлении пробоя ток, протекающий через стабилитрон, увеличивается и его..
5.32 ₽
В корзину
Популярный
Кремниевые диффузионно-сплавные стабилитроны Д817Б средней мощности предназначены для стабилизации напряжения.Технические характеристики стабилитрона Д817Б: Разброс напряжения стабилизации: 61... 75 В при токе стабилиза..
7.70 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеПЛАСТИКОВЫЙ ФОРМОВАННЫЙ ТИРИСТОРТехнические параметрыМаксимальное обратное напряжение Uобр.,В 500Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В 500Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.м..
32.62 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Производитель: NECSilicon Controlled Rectifier, 4.7A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element..
111.44 ₽
В корзину
Популярный
5P4M, Тиристор 5А 400ВТехнические параметрыМаксимальное обратное напряжение Uобр.,В 500Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В 500Макс...
170.21 ₽
В корзину
Популярный
Максимальное обратное напряжение: 600ВМаксимальное повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии: 600ВМаксимальное среднее за период значение тока в открытом состоянии: 3АМаксимальный кратковременный импульсный ток в открытом состоянии: 30..
116.52 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
ОписаниеПроисхождение товара:Guangdong, ChinaНаименование:СтандартМодели:CR5AS-12Напряжение-состоянии off:600 ВНапряжение-ворота триггер (VGT) (макс.):800mVТок-ворота триггер (igt) (макс.):100uAНапряжение на состояние (vtm) (макс.):1.8 ВТекущее состо..
274.60 ₽
В корзину
Популярный
Производитель: Mitsubishi ElectricLow Power Use Non-Insulated Type / Glass Passivation Type..
174.78 ₽
В корзину
Популярный
Популярный
Заканчивается
Популярный
КУ221АТиристоры кремниевые КУ221А, диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые, импульсные, высокочастотные. Предназначены для применения в телевизионных приемниках цветного изображения при частоте до 30 кГц.Выпускаются в металлостеклянн..
82.18 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеХарактеристики транзистора КТ209МСтруктура p-n-pМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 60 ВМаксимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектор..
2.77 ₽
В корзину
Популярный
2Т903АТранзисторы 2Т903А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности и автогенераторах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.Масс..
174.05 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеТехнические данные TO3PML(NPN; 110V; 6A; 50W; 20MHz)Функциональное назначение мощный усилительный..
582.61 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеХарактеристики транзистора MJE2955TСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 ВНапряжение коллектор-база, не более: -70 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -5 VТок коллектора, не более: -10 АРассеиваемая мощность коллектора,..
22.30 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеНаименование производителя: MJE800Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимал..
97.36 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеНаименование производителя: MJF18004Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМак..
177.40 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Микросхема S1854 является драйвером регулятора для линейного телевизора, который состоит из транзистора усилителя ошибки, стабилитрона стандартного напряжения и поликремниевых резисторов на монолитной микросхеме.Мощный биполярный транзистор, 0.05AI (..
123.54 ₽
В корзину
Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).
В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.
Самый известный полупроводник — кремний (Si).
Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.
Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.