Полупроводники

Микросхемы серий 24xx - 93xx

микросхемы серий AN - DTS

микросхемы серий F -KS

микросхемы серий L - MN

микросхемы серий NE - QSMQ

микросхемы серий SAA - STV

микросхемы серий TA - TVPO

микросхемы серий U - Z

Транзисторы биполярные

Транзисторы полевые

Тиристоры

Симисторы, динисторы

Оптроны (твёрдотельные реле)

Диоды, диодные мосты

Стабилитроны

Индикаторы, светодиоды

фотоприёмники, фотодиоды

микросхемы отечественные

транзисторы отечественные

Популярный

Заканчивается

2SA 958

Биполярный транзистор 2SA958Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 VМакcимально допустим..

96.97 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SA 966

Биполярный транзистор 2SA966Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 VМакcимально допустимо..

10.28 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SB 1010

ОписаниеНаименование производителя: 2SB1010Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 VМакcи..

18.66 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SB 1050-R

Наименование производителя: 2SB1050Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcимальный постоянны..

146.01 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SB 1117

ОписаниеНаименование производителя: 2SB1117Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcимальный п..

33.60 ₽

В корзину

Популярный

2SB 1185

Биполярный транзистор 2SB1185Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимально допустимо..

33.78 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SB 1187

ОписаниеНаименование производителя: 2SB1187Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcима..

36.71 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SB 1240

ОписаниеНаименование производителя: 2SB1240Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 VМакcимал..

36.71 ₽

В корзину

Популярный

2SB 1274

Наименование производителя: 2SB1274Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимально доп..

35.11 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SB 1318

Наименование производителя: 2SB1318Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 VМакcимально до..

128.16 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SB 1330

ОписаниеТранзистор 2SB1330Q — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-92...

30.51 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SB 1340

Наименование производителя: 2SB1340Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 VМакcимально д..

167.18 ₽

В корзину

Популярный

2SB 1366

ОписаниеХарактеристики транзистора 2SB1366Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 ВНапряжение коллектор-база, не более: -60 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -7 VТок коллектора, не более: -3 АРассеиваемая мощность коллектора, н..

16.06 ₽

В корзину

Популярный

2SB 1370

ОписаниеНаименование производителя: 2SB1370Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcима..

29.13 ₽

В корзину

Популярный

2SB 1375

Наименование производителя: 2SB1375Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 VМакcимально доп..

40.13 ₽

В корзину

Популярный

2SB 1425

ОписаниеТранзистор 2SB1425 — биполярный, кремниевый, низкочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора — транзисторы: 2SA1315, 2SB733, 2SB892, 2SB1434...

23.12 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SB 1472

ОписаниеТранзистор биполярныйТехнические характеристики:Структура: P-N-PМаксимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э: 70 ВМаксимальное напряжение к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б: 60 ВМаксимально допустимы..

142.74 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SB 1559

ОписаниеНаименование производителя: 2SB1559Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcималь..

110.52 ₽

В корзину

Популярный

2SB 1565

ОписаниеНаименование производителя: 2SB1565Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcима..

55.35 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SB 1566

ОписаниеНаименование производителя: 2SB1566Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcима..

28.48 ₽

В корзину

Популярный

2SB 1626

ОписаниеНаименование производителя: 2SB1626Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcималь..

52.63 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SB 703(A)

ОписаниеНаименование производителя: 2SB703AТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcим..

64.09 ₽

В корзину

Популярный

2SB 709(B-Q)

ОписаниеНаименование производителя: 2SB709Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcима..

37.87 ₽

В корзину

Популярный

2SB 716

Биполярный транзистор 2SB716Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 VМакcимально допуст..

38.43 ₽

В корзину

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.